内部モデル | RO-W632GU8AB-12 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.283 V ~ 1.45 V |
技術: | SDRAM - DDR3 |
シリーズ: | - |
運転温度: | 0°C ~ 95°C (TC) |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 2Gb (128M x 16) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns |
クロック周波数: | 800MHz |
アクセス時間: | 20ns |
Email: | [email protected] |