SI4100DY-T1-E3
- Số Phần:
- SI4100DY-T1-E3
- nhà chế tạo:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 50000 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- SI4100DY-T1-E3.pdf
Giới thiệu
We can supply SI4100DY-T1-E3, use the request quote form to request SI4100DY-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4100DY-T1-E3.The price and lead time for SI4100DY-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4100DY-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-SI4100DY-T1-E3 |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Tối đa): | ±20V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| Bao bì: | Cut Tape (CT) |
| Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vài cái tên khác: | SI4100DY-T1-E3CT |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 33 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 50V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
| miêu tả cụ thể: | N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SI4100DY-T1-E3
Latest Tin tức
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- ADI Triển khai Kit Sambanova, thúc đẩy công thức sản xuất AI để đạt được bước đột phá ở cấp độ doanh nghiệp
- Honeywell và Adi đã bắt tay để thúc đẩy sự đổi mới và thay đổi tự động hóa xây dựng
- Maxim đã công bố ra mắt
- Maxim ra mắt bộ chuyển đổi xe DC-DC MAX16984, một chiếc xe có trình enum sạc USB tích hợp
- Renesas Electronics ra mắt trình điều khiển điện được lập trình đầu tiên của ngành công nghiệp IC
- Renesas đã ra mắt thế hệ đầu tiên của hạt nhân CPU 32 bit RISC-V
- Vishay đã ra mắt khớp nối ánh sáng công suất thấp 10 MBD mới, thấp tới 5 mA, phạm vi điện áp là 2,7 V đến 5,5 V
- Melexis đã ra mắt một giải pháp chuyển hướng thông minh mới để tích hợp bảo mật đáng tin cậy
- Toshiba đã phát triển mô -đun MOSFET kép 2200V đầu tiên của ngành để giúp hiệu quả và thu nhỏ các thiết bị công nghiệp
- Thời đại DDR5 đang đến gần và những thách thức mới không thể bị bỏ qua
- Renesas mở bản đồ sản phẩm sản phẩm của bộ xử lý xe hơi và MCU tiếp theo