CDBGBSC101200-G
- Số Phần:
- CDBGBSC101200-G
- nhà chế tạo:
- Comchip Technology
- Sự miêu tả:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 41063 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- CDBGBSC101200-G.pdf
Giới thiệu
We can supply CDBGBSC101200-G, use the request quote form to request CDBGBSC101200-G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number CDBGBSC101200-G.The price and lead time for CDBGBSC101200-G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# CDBGBSC101200-G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-CDBGBSC101200-G |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 1.7V @ 5A |
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max): | 1200V |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-247 |
| Tốc độ: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Loạt: | - |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR): | 0ns |
| Gói / Case: | TO-247-3 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 16 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Loại diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Cấu hình diode: | 1 Pair Common Cathode |
| miêu tả cụ thể: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 18A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 100µA @ 1200V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode): | 18A (DC) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho CDBGBSC101200-G
Latest Tin tức
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- ADI Triển khai Kit Sambanova, thúc đẩy công thức sản xuất AI để đạt được bước đột phá ở cấp độ doanh nghiệp
- Honeywell và Adi đã bắt tay để thúc đẩy sự đổi mới và thay đổi tự động hóa xây dựng
- Maxim đã công bố ra mắt
- Maxim ra mắt bộ chuyển đổi xe DC-DC MAX16984, một chiếc xe có trình enum sạc USB tích hợp
- Renesas Electronics ra mắt trình điều khiển điện được lập trình đầu tiên của ngành công nghiệp IC
- Renesas đã ra mắt thế hệ đầu tiên của hạt nhân CPU 32 bit RISC-V
- Vishay đã ra mắt khớp nối ánh sáng công suất thấp 10 MBD mới, thấp tới 5 mA, phạm vi điện áp là 2,7 V đến 5,5 V
- Melexis đã ra mắt một giải pháp chuyển hướng thông minh mới để tích hợp bảo mật đáng tin cậy
- Toshiba đã phát triển mô -đun MOSFET kép 2200V đầu tiên của ngành để giúp hiệu quả và thu nhỏ các thiết bị công nghiệp
- Thời đại DDR5 đang đến gần và những thách thức mới không thể bị bỏ qua
- Renesas mở bản đồ sản phẩm sản phẩm của bộ xử lý xe hơi và MCU tiếp theo