內部型號 | RO-ZXTN2010ASTZ |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 60V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 210mV @ 200mA, 5A |
晶體管類型: | NPN |
供應商設備封裝: | TO-92 |
系列: | - |
功率 - 最大: | 1W |
封装: | Tape & Box (TB) |
封裝/箱體: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
其他名稱: | ZXTN2010ASTZ-ND ZXTN2010ASTZTB |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 130MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4.5A 130MHz 1W Through Hole TO-92 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 100 @ 2A, 1V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 4.5A |
基礎部件號: | ZXTN2010A |
Email: | [email protected] |