內部型號 | RO-SQ2361AEES-T1_GE3 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
功率耗散(最大): | 2W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | SQ2361AEES-T1-GE3 SQ2361AEES-T1_GE3-ND SQ2361AEES-T1_GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TA) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 620pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
詳細說明: | P-Channel 60V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |