內部型號 | RO-SIA414DJ-T1-GE3 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 800mV @ 250µA |
Vgs(最大): | ±5V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SC-70-6 |
其他名稱: | SIA414DJ-T1-GE3TR SIA414DJT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 33 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1800pF @ 4V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 32nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 1.2V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 8V |
詳細說明: | N-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |