內部型號 | RO-SI4800BDY-T1-GE3 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.8V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
功率耗散(最大): | 1.3W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SI4800BDY-T1-GE3TR SI4800BDYT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 33 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 13nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
詳細說明: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |