內部型號 | RO-SI4618DY-T1-GE3 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 1mA |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 17 mOhm @ 8A, 10V |
功率 - 最大: | 1.98W, 4.16W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1535pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 44nC @ 10V |
FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點: | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 8A, 15.2A |
Email: | [email protected] |