內部型號 | RO-PHKD6N02LT,518 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.5V @ 250µA |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 20 mOhm @ 3A, 5V |
功率 - 最大: | 4.17W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | 934056831518 PHKD6N02LT /T3 PHKD6N02LT /T3-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 2 (1 Year) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 950pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 15.3nC @ 5V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點: | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 10.9A |
Email: | [email protected] |