內部型號 | RO-PDTA115TT,215 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 150mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型: | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | TO-236AB (SOT23) |
系列: | - |
電阻器 - 基座(R1): | 100 kOhms |
功率 - 最大: | 250mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | 1727-3014-2 568-2114-2 568-2114-2-ND 934058186215 PDTA115TT T/R |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 1µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | PDTA115 |
Email: | [email protected] |