內部型號 | RO-NSBC143TPDXV6T1 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
晶體管類型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | SOT-563 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | - |
電阻器 - 基座(R1): | 4.7 kOhms |
功率 - 最大: | 500mW |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | SOT-563, SOT-666 |
其他名稱: | NSBC143TPDXV6OSCT |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
頻率 - 轉換: | - |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 160 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | NSBC1* |
Email: | [email protected] |