內部型號 | RO-MSD601-RT1 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 500mV @ 10mA, 100mA |
晶體管類型: | NPN |
供應商設備封裝: | SC-59 |
系列: | - |
功率 - 最大: | 200mW |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | MSD601-RT1OSCT MSD601RT1 |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
頻率 - 轉換: | - |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-59 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 210 @ 2mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | MSD601 |
Email: | [email protected] |