內部型號 | RO-MMBT489LT1G |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 30V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 200mV @ 100mA, 1A |
晶體管類型: | NPN |
供應商設備封裝: | SOT-23-3 (TO-236) |
系列: | - |
功率 - 最大: | 710mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | MMBT489LT1GOS MMBT489LT1GOS-ND MMBT489LT1GOSTR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 100MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1A 100MHz 710mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 300 @ 500mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 1A |
基礎部件號: | MMBT489 |
Email: | [email protected] |