內部型號 | RO-MJB45H11T4G |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 80V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 1V @ 400mA, 8A |
晶體管類型: | PNP |
供應商設備封裝: | D2PAK |
系列: | - |
功率 - 最大: | 2W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名稱: | MJB45H11T4G-ND MJB45H11T4GOSTR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 13 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 40MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 40 @ 4A, 1V |
電流 - 集電極截止(最大): | 10µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 10A |
基礎部件號: | MJB45H11 |
Email: | [email protected] |