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首  頁 > 產品展示 > 分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單 > IXTD4N80P-3J
IXTD4N80P-3J
型號:
IXTD4N80P-3J
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 800
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
51638 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
IXTD4N80P-3J.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-IXTD4N80P-3J
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:5.5V @ 100µA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:Die
系列:PolarHV™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
功率耗散（最大）:100W (Tc)
封裝/箱體:Die
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:750pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:14.2nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:800V
詳細說明:N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount Die
電流 - 25°C連續排水（Id）:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

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