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IXFN24N100F
IXFN24N100F
型號:
IXFN24N100F
製造商:
IXYS RF
描述:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
78388 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
IXFN24N100F.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-IXFN24N100F
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:5.5V @ 8mA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-227B
系列:HiPerRF™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:390 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散（最大）:600W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:SOT-227-4, miniBLOC
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:14 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:6600pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:195nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:1000V
詳細說明:N-Channel 1000V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25°C連續排水（Id）:24A (Tc)
Email:[email protected]

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