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首  頁 > 產品展示 > 分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單 > IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4
型號:
IXFH60N65X2-4
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH
庫存數量:
49856 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
IXFH60N65X2-4.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-IXFH60N65X2-4
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:5V @ 4mA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-247-4L
系列:HiPerFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:52 mOhm @ 30A, 10V
功率耗散（最大）:780W (Tc)
封裝/箱體:TO-247-4
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
製造商標準交貨期:24 Weeks
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:6300pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:108nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:650V
詳細說明:N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
電流 - 25°C連續排水（Id）:60A (Tc)
Email:[email protected]

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