內部型號 | RO-IRLML6302GTRPBF |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 測試: | 97pF @ 15V |
電壓 - 擊穿: | Micro3™/SOT-23 |
VGS(TH)(最大)@標識: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
Vgs(最大): | 2.7V, 4.5V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
系列: | HEXFET® |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 780mA (Ta) |
極化: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | IRLML6302GTRPBF |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3.6nC @ 4.5V |
IGBT類型: | ±12V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
FET特點: | P-Channel |
展開說明: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 20V |
電容比: | 540mW (Ta) |
Email: | [email protected] |