內部型號 | RO-IRF7379 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 45 mOhm @ 5.8A, 10V |
功率 - 最大: | 2.5W |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | *IRF7379 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 520pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
詳細說明: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 5.8A, 4.3A |
Email: | [email protected] |