內部型號 | RO-IRF6610TRPBF |
---|---|
狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.55V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ SQ |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric SQ |
其他名稱: | IRF6610TRPBFCT |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 3 (168 Hours) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1520pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 15A (Ta), 66A (Tc) |
Email: | [email protected] |