內部型號 | RO-IRF6607 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ MT |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.3 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric MT |
其他名稱: | IRF6607-ND IRF6607TR SP001532212 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 3 (168 Hours) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 6930pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 75nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 7V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
詳細說明: | N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 27A (Ta), 94A (Tc) |
Email: | [email protected] |