內部型號 | RO-IPA65R190CFDXKSA1 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 730µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO220 Full Pack |
系列: | CoolMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
功率耗散(最大): | 34W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-220-3 Full Pack |
其他名稱: | IPA65R190CFD IPA65R190CFD-ND SP000905382 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1850pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 68nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
詳細說明: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 17.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |