內部型號 | RO-FDB5690 |
---|---|
狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-263AB |
系列: | PowerTrench® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 27 mOhm @ 16A, 10V |
功率耗散(最大): | 58W (Tc) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名稱: | FDB5690CT |
工作溫度: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1120pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 6V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
詳細說明: | N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |