內部型號 | RO-CSD86330Q3D |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.1V @ 250µA |
供應商設備封裝: | 8-LSON (3.3x3.3) |
系列: | NexFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
功率 - 最大: | 6W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerLDFN |
其他名稱: | 296-28216-2 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 35 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 920pF @ 12.5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點: | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 20A |
基礎部件號: | CSD86330 |
Email: | [email protected] |