內部型號 | RO-C2M0040120D |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.8V @ 10mA |
Vgs(最大): | +25V, -10V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | TO-247-3 |
系列: | Z-FET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 52 mOhm @ 40A, 20V |
功率耗散(最大): | 330W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 52 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1893pF @ 1000V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 115nC @ 20V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V |
詳細說明: | N-Channel 1200V 60A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |