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APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
型號:
APT45GP120B2DQ2G
製造商:
Microsemi
描述:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
66239 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
APT45GP120B2DQ2G.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-APT45GP120B2DQ2G
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:3.9V @ 15V, 45A
測試條件:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:18ns/100ns
開關能量:900µJ (on), 905µJ (off)
系列:POWER MOS 7®
功率 - 最大:625W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3 Variant
其他名稱:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:32 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:PT
柵極電荷:185nC
詳細說明:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
電流 - 集電極脈衝（ICM）:170A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:113A
Email:[email protected]

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