內部型號 | RO-6116LA20TDB |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
寫週期時間 - 字,頁: | 20ns |
電壓 - 電源: | 4.5 V ~ 5.5 V |
技術: | SRAM - Asynchronous |
供應商設備封裝: | 24-CDIP |
系列: | - |
封装: | Tray |
封裝/箱體: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
其他名稱: | IDT6116LA20TDB IDT6116LA20TDB-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
內存類型: | Volatile |
內存大小: | 16Kb (2K x 8) |
內存接口: | Parallel |
內存格式: | SRAM |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細說明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 20ns 24-CDIP |
基礎部件號: | IDT6116 |
訪問時間: | 20ns |
Email: | [email protected] |