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2N7635-GA
2N7635-GA
型號:
2N7635-GA
製造商:
GeneSiC Semiconductor
描述:
TRANS SJT 650V 4A TO-257
RoHS狀態:
包含鉛/ RoHS不兼容
庫存數量:
80625 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
2N7635-GA.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-2N7635-GA
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:-
Vgs（最大）:-
技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
供應商設備封裝:TO-257
系列:-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:415 mOhm @ 4A
功率耗散（最大）:47W (Tc)
封装:Bulk
封裝/箱體:TO-257-3
其他名稱:1242-1146
工作溫度:-55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Contains lead / RoHS non-compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:324pF @ 35V
FET型:-
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:-
漏極至源極電壓（Vdss）:650V
詳細說明:650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
電流 - 25°C連續排水（Id）:4A (Tc) (165°C)
Email:[email protected]

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