內部型號 | RO-2N3583 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 175V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 5V @ 125mA, 1A |
晶體管類型: | NPN |
供應商設備封裝: | TO-66 |
系列: | - |
功率 - 最大: | 35W |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-213AA, TO-66-2 |
其他名稱: | 2N3583 LEAD FREE 2N3583 PBFREE |
工作溫度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 20 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 10MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 175V 1A 10MHz 35W Through Hole TO-66 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 40 @ 500mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大): | 10mA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 1A |
Email: | [email protected] |