TSM061NA03CV RGG
- Parça Numarası:
- TSM061NA03CV RGG
- Üretici firma:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 71522 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- TSM061NA03CV RGG.pdf
Giriş
We can supply TSM061NA03CV RGG, use the request quote form to request TSM061NA03CV RGG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TSM061NA03CV RGG.The price and lead time for TSM061NA03CV RGG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TSM061NA03CV RGG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-TSM061NA03CV RGG |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-PDFN (3x3) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 6.1 mOhm @ 16A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 44.6W (Tc) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerWDFN |
| Diğer isimler: | TSM061NA03CV RGGCT TSM061NA03CV RGGCT-ND TSM061NA03CVRGGCT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 30 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1136pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 19.3nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
TSM061NA03CV RGG için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Kapasitör çalışma prensibi
- Renesas, kendi gelişmiş CPU çekirdeğiyle evrensel 32 bit RISC-V MCU'yu başlatan ilk kişi
- Anmei'nin modern görsel sisteme bakan düşük güçlü görüntü sensörü üzerinde
- ADI, endüstrinin önde gelen 10MB otomobil Ethernet teknolojisini başlatmak için BMW Group ile işbirliği yapıyor ve yazılım tanımı otomobillerinde yeni bir bölüm açıyor
- Vishay, Endüstriyel ve Ses Uygulama Tasarımını Basitleştirerek ve Maliyetleri Optimize Eden Knob Potansiyometresini başlattı
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı