ในปีที่ผ่านมาในอุปกรณ์อุตสาหกรรมขั้นสูงนำโดยสถานีฐานการสื่อสาร 5G และอุปกรณ์ FA มีการติดตั้งมากขึ้นAIด้วยIoTฟังก์ชั่นใหม่ของเทคโนโลยี จากนั้นแหล่งจ่ายไฟ IC ที่ใช้มีประสิทธิภาพสูงขึ้นเรื่อย ๆ : ไม่เพียง แต่มีขนาดเล็กและมีประสิทธิภาพ แต่ยังทนต่อแรงดันสูงเพื่อให้แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้าฉับพลันที่เกิดจากฟ้าผ่า ฯลฯ มันจะไม่ได้รับความเสียหาย แต่ยังรองรับกระแสขนาดใหญ่ที่จะทำให้ ฟังก์ชั่นมากมาย

RoHM ใช้เทคโนโลยีระบบไฟฟ้าขั้นสูงและระบบการผลิตบูรณาการแนวตั้งเพื่อพัฒนาผลิตภัณฑ์ IC พลังงานที่หลากหลายสำหรับตลาดอุปกรณ์อุตสาหกรรมไม่เพียง แต่ลักษณะที่ยอดเยี่ยม แต่ยังจ่ายสูงและอุปทานที่มั่นคงในระยะยาว คราวนี้ ROHM มี IC แปลง DC / DC ที่มีแรงดันสูงและประสิทธิภาพสูงในปัจจุบันในด้านอุปกรณ์อุตสาหกรรมขั้นสูง

ผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ไม่ใช่การแยก * 3DC / DC Converter ICs โดยใช้การพัฒนาเทคโนโลยีการออกแบบการออกแบบแบบจำลองที่ไม่รู้จักของ RoHM โดยใช้กระบวนการที่ทนทานสูงของระบบแหล่งจ่ายไฟเพื่อให้แหล่งจ่ายไฟที่จำเป็นสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมขั้นสูง

"BD9G500EFJ-LA" เหมาะสำหรับระบบพลังงาน 48V มีแรงดันไฟฟ้า 80V สูง 80V สูงและเนื่องจาก MOSFET ในตัวผลผลิตสูงถึง 5A ในประเภทเดียวกันของผลิตภัณฑ์สามารถทำได้ปัจจุบันและสนับสนุนพลังสูงซึ่งช่วยให้สถานีฐานการสื่อสาร 5G และการชาร์จกองเพื่อให้เกิดความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น "BD9F500QUZ" เหมาะสำหรับระบบจ่ายไฟ 24V ซึ่งใช้แพคเกจบางขนาดเล็ก (3.0 มม. × 3.0 มม. × 0.4 มม.) แม้ว่ามันจะเทียบเท่ากับการบรรลุความดัน 39V และกระแสเอาต์พุต 5A แต่ก็ช่วยให้อยู่บนพื้นฐานของ FA อุปกรณ์อุปกรณ์อุตสาหกรรมขั้นสูงบรรลุประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและปริมาณที่น้อยลง

ผลิตภัณฑ์ใหม่ได้ถูกนำไปใช้ในการผลิตจำนวนมากในระดับ 100,000 เดือนในเดือนพฤษภาคม 2021 (ราคา 500 เยน / โสดไม่รวมภาษี) ผลิตภัณฑ์ใหม่และประเมินคณะกรรมการ"BD9G500EFJ-EVK-001" และ "BD9F500QUZ-EVK-001" ได้เริ่มขายผ่านอีคอมเมิร์ซจาก Ameya360, Sekorm และแพลตฟอร์มอีคอมเมิร์ซอื่น ๆ

ในอนาคต Rohm จะใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีการออกแบบแบบจำลองเพื่อพัฒนาผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้สูงและยังคงมีส่วนร่วมในการประหยัดพลังงานขนาดเล็กและความปลอดภัยของอุปกรณ์อุตสาหกรรม

<คุณสมบัติผลิตภัณฑ์ใหม่>

ผลิตภัณฑ์ใหม่สองชิ้นนี้ใช้เทคโนโลยีความต้านทานสูง BICDMOS ในระบบไฟฟ้าและใช้เทคโนโลยีการออกแบบการจำลองแบบจำลองที่ไม่รู้จักของ RoHM ที่จะสร้างขึ้นในตัว MOSFET DC / DC Converter IC ผลิตภัณฑ์ใหม่มีคุณสมบัติดังต่อไปนี้ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมขั้นสูงบรรลุความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและการย่อขนาดต่อไป

ไม่สามารถใช้ได้กับ "BD9G500EFJ-LA" ในระบบพลังงาน 48V

1. ตระหนักถึงความต้านทานแรงดัน 80V สูงสุดยอดของอุตสาหกรรมและช่วงการทำงานที่ปลอดภัยนั้นกว้างขึ้น

BD9G500EFJ-LA ใช้กระบวนการทนสูง BICDMOS ในตัวแปลง DC / DC แบบไม่แยกของ MOSFET ในตัว (วงจรเรียงกระแสแบบไม่มีซิงโครนัส * 4) อุตสาหกรรมเป็นระดับสูงสูง 80V ที่ทนต่อแรงดันไฟฟ้า เพื่อให้การรักษาความปลอดภัยมีช่วงการทำงานของ Wanner เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไปของกระแสไฟขาออกเดียวกันความดันได้รับความสำเร็จเพิ่มขึ้นประมาณ 20% ไม่เพียง แต่ในระบบพลังงานหลัก 48V ของสถานีฐานการสื่อสาร 5G และเซิร์ฟเวอร์ แต่ยังรวม 60 โวลต์อุปกรณ์ไฟฟ้าของจักรยานไฟฟ้าและเครื่องมือไฟฟ้าในแบตเตอรี่ . ในระบบมีอัตรากำไรขั้นต้นเพียงพอที่จะจัดการกับแรงดันไฟฟ้ากระชากระเบิดดังนั้นจึงช่วยในการปรับปรุงความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์แอปพลิเคชัน

2. ตระหนักถึงกระแสตรงสูงสุดยอดของอุตสาหกรรมซึ่งช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมขั้นสูงปรับปรุงประสิทธิภาพและลดระดับเสียง

BD9G500EFJ-LA ไม่เพียง แต่มีความต้านทานแรงดันสูงของ 80V เท่านั้น แต่ยังประสบความสำเร็จสูงสุด 5A สูงสุดเอาต์พุตสูงสุดในการแปลง DC / DC IC 60 V เหนือแรงดันไฟฟ้าที่ทนต่อแรงดันไฟฟ้า มันมีประโยชน์มากในการใช้อุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ออกแบบมาเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการติดตั้งฟังก์ชั่น AI และ IOT รวมถึงการย่อขนาดของอุปกรณ์ที่มีคุณสมบัติมากขึ้น นอกจากนี้ด้วยการสูญเสียต่ำในตัว MOSFET แม้ว่าจะเป็นการแก้ไขแบบไม่ซิงโครนัส แต่ยังสามารถบรรลุประสิทธิภาพการแปลงพลังงานได้มากถึง 85% ประหยัดพลังงานมากขึ้นและประหยัดพลังงานมากขึ้นในช่วงปัจจุบันของ 2A ถึง 5A

เหมาะสำหรับ "BD9F500QUZ" ของระบบพลังงาน 24V

1. โดยการบันทึกพื้นที่การติดตั้งและชิ้นส่วนตัดช่วยในการใช้ผลิตภัณฑ์เพื่อลดต้นทุนและขนาดเล็กมากขึ้น

BD9F500QUZ เป็นตัวแปลง DC / DC แบบไม่แยกของ MOSFET ในตัว (การแก้ไขแบบซิงโครนัส * 4) โดยใช้การออกแบบการจำลองเทคโนโลยีของ RoHM ด้วยแพคเกจขนาดเล็ก (3.0 มม. × 3.0 มม. × 0.4 มม.), ความดัน 39V และ 5A เอาท์พุท ปัจจุบัน. ขนาดลดลงประมาณ 60% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์สามัญ (6.0 มม. × 4.0 มม. × 0.8 มม.) และจำนวนส่วนประกอบต่อพ่วงสามารถลดลงได้ ไม่เพียงแค่นั้นใช้ความเร็วสูง 2.2MHzสวิตซ์ประสิทธิภาพแม้ว่าการทำงานที่เสถียรสามารถทำได้โดยใช้ขดลวดขนาดเล็ก1.5μHมันสามารถบันทึกพื้นที่การติดตั้งบนกระดานและลดความสูงจึงช่วยให้ระบบพลังงานหลักของอุปกรณ์ FA ต่างๆเช่น PLC และอินเวอร์เตอร์นำไปใช้กับ ลดต้นทุนส่วนและขนาดเล็ก

2. ประสิทธิภาพสูงและการใช้งานความร้อนต่ำช่วยในการปรับปรุงความน่าเชื่อถือ

แม้ว่า BD9F500QUZ จะถูกนำมาใช้เป็นแพ็คเกจขนาดเล็กที่ไม่เอื้อต่อการกระจายความร้อน แต่ยังรองรับสวิตช์ความเร็วสูง แต่ยังคงทำงานในการถ่ายเทความร้อนต่ำมาก ในผลิตภัณฑ์ขนาดเล็กที่มีฟังก์ชั่นเทียบเท่าอุณหภูมิ IC อยู่ใกล้กับ 100 ° C ดังนั้นมาตรการกระจายความร้อนจะต้องใช้ (ความร้อนผ่านการระบายความร้อนภายนอกและ MOSFET) ในขณะที่ประสิทธิภาพการทำงานของผลิตภัณฑ์ใหม่ RoHM สูง ดังที่ 90% (เมื่อกระแสไฟขาออกเป็น 3A) และใช้แพคเกจที่สะอาดในประสิทธิภาพการกระจายความร้อนอุณหภูมิความร้อนในที่ทำงานเพียงประมาณ 65 ° C เพื่อให้ลูกค้าไม่จำเป็นต้องใช้มาตรการกระจายความร้อนเพื่อช่วยปรับปรุงความน่าเชื่อถือ ของแอปพลิเคชัน

<คุณสมบัติหลักของ ICS Converter DC / DC>

<ตัวอย่างแอปพลิเคชัน>

● "BD9G500EFJ-LA" ใช้กับระบบพลังงาน 48V

• สถานีฐานการสื่อสาร 5G ที่จำเป็นสำหรับการป้อนพลังงาน 48Vเพาเวอร์แอมป์ชาร์จกองเซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ
• จักรยานไฟฟ้าเครื่องมือไฟฟ้า ฯลฯ ที่จำเป็นสำหรับการป้อนพลังงานระดับ 60V / 48V
• การใช้งานมอเตอร์เช่นแรงดันไฟกระชาก (เครื่องดูดฝุ่นและเครื่องซักผ้า)

● "BD9F500QUZ" สำหรับระบบไฟฟ้า 24V

• อุปกรณ์ FA ต่างๆรวมถึง PLC และอินเวอร์เตอร์เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับอินพุตพลังงาน 24V กล้องวงจรปิด ฯลฯ
• ใช้ในอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่หลากหลายfpgaแหล่งจ่ายไฟสำหรับระบบควบคุมการทำงานแรงดันไฟฟ้าต่ำเช่น SoC

<ข้อมูลการขายอีคอมเมิร์ซ>

เวลาการขาย: พฤษภาคม 2021

แพลตฟอร์มอีคอมเมิร์ซ: ameya360, sekorm

* 1) DC / DC Converter

หนึ่งในแหล่งจ่ายไฟ IC แปลงแรงดันไฟฟ้า DC (DC) เป็นแรงดันไฟฟ้า DC มักจะมีสองประเภทของขั้นตอนลง (ลดลงแรงดันไฟฟ้าที่ต่ำกว่า) และการเพิ่มแรงดันไฟฟ้า (แรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้น)

* 2) แรงดันไฟกระชาก

แรงดันไฟฟ้าขนาดใหญ่ที่เกิดจากแรงจากส่วนภายนอกของ IC และมอเตอร์เริ่มต้นและมอเตอร์เริ่มต้น

* 3) ประเภทแยกและไม่แยกประเภท

ประเภทการแยกเป็นผลิตภัณฑ์ที่ใช้มาตรการป้องกันการสัมผัส การกักกันที่ไม่กักกันอยู่ในกักกันซึ่งมีประโยชน์มากขึ้นในการย่อขนาดและประสิทธิภาพ

* 4) การแก้ไขแบบซิงโครนัสและการแก้ไขแบบซิงโครนัส

ทั้งสองเป็นวิธีการควบคุมเอาต์พุตของตัวแปลง DC / DC การแก้ไขแบบไม่ซิงโครนัสโดย MOSFET (ทรานซิสเตอร์) กับหนึ่งไดโอดองค์ประกอบการแก้ไขแบบซิงโครนัสประกอบด้วยสอง mosfets การแก้ไขแบบซิงโครนัสนั้นยากต่อการควบคุมมากกว่าการแก้ไขแบบไม่ซิงโครนัส แต่มีข้อได้เปรียบมากขึ้นในแง่ของประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน