หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-VN2222LL-G |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
Vgs (สูงสุด): | ±30V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92-3 |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 400mW (Ta), 1W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 5 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 60pF @ 25V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 60V 230mA (Tj) 400mW (Ta), 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 230mA (Tj) |
Email: | [email protected] |