TPAR3J S1G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TPAR3J S1G
- ผู้ผลิต:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- ลักษณะ:
- DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 63945 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TPAR3J S1G.pdf
บทนำ
We can supply TPAR3J S1G, use the request quote form to request TPAR3J S1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPAR3J S1G.The price and lead time for TPAR3J S1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPAR3J S1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-TPAR3J S1G |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.55V @ 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-277A (SMPC) |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 120ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-277, 3-PowerDFN |
| ชื่ออื่น: | TPAR3J S1GTR TPAR3J S1GTR-ND TPAR3JS1GTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Avalanche |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 3A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 58pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TPAR3J S1G
ข่าว Latest
- ADI ร่วมมือกับ BMW Group เพื่อเปิดตัวเทคโนโลยี Ethernet รถยนต์ 10MB ชั้นนำของอุตสาหกรรมเปิดบทใหม่ในรถยนต์นิยามซอฟต์แวร์
- Vishay เปิดตัวโพเทนชิออมิเตอร์ Knob ทำให้การออกแบบแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมและเสียงง่ายขึ้นและค่าใช้จ่ายในการเพิ่มประสิทธิภาพ
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง