SPHWW1HDN945YHU2B3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SPHWW1HDN945YHU2B3
- ผู้ผลิต:
- Samsung Semiconductor
- ลักษณะ:
- LED COB LC008B 3500K SQUARE
- ปริมาณในสต็อก:
- 59979 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SPHWW1HDN945YHU2B3.pdf
บทนำ
We can supply SPHWW1HDN945YHU2B3, use the request quote form to request SPHWW1HDN945YHU2B3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SPHWW1HDN945YHU2B3.The price and lead time for SPHWW1HDN945YHU2B3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SPHWW1HDN945YHU2B3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SPHWW1HDN945YHU2B3 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| ความยาวคลื่น: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 35.5V |
| มุมมอง: | 115° |
| ชนิด: | Chip On Board (COB) |
| อุณหภูมิ - การทดสอบ: | 25°C |
| ขนาด / มิติ: | 13.50mm L x 13.50mm W |
| ชุด: | LC008B Gen3 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| Lumens วัตต์ / @ ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 159 lm/W |
| พื้นผิวเปล่งแสง (LES): | 8.00mm Diameter |
| เลนส์ชนิด: | Flat |
| ความสูง: | 1.50mm |
| Flux @ Current / อุณหภูมิ - การทดสอบ: | 1356 lm (1221 lm ~ 1491 lm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | LED Lighting COBs, Engines, Modules Chip On Board (COB) LC008B Gen3 White, Warm Square |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 240mA |
| ปัจจุบัน - แม็กซ์: | 430mA |
| องค์ประกอบ: | Square |
| สี: | White, Warm |
| CRI (ดัชนีการแสดงผลสี): | 80 |
| CCT (k): | 3500K 2-Step MacAdam Ellipse |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPHWW1HDN945YHU2B3
ข่าว Latest
- การออกแบบอินเวอร์เตอร์ MOSFET ตู้เย็น MOSFET ครั้งแรกของ Samsung โดยใช้ YingFailing 600V CoolmoSMM PFD7
- ความร่วมมือ Samsung และ AMD: ชิป Exynos มาพร้อมกับ AMD GPU
- Samsung มวลผลิตโซลูชันแฟลชโทรศัพท์มือถือรุ่นล่าสุดขึ้นอยู่กับ LPDDR5 และ UFS แพคเกจหลายชิป UMCP
- นักวิเคราะห์: Samsung จะได้รับ บริษัท ชิปรถยนต์ NXP เป็นหนึ่งในผู้สมัคร
- Samsung Electronics คาดว่าจะฟื้นตัวตามปกติในเดือนมิถุนายนในเดือนมิถุนายนในเดือนมิถุนายน Samsung Electronics
- Samsung พัฒนาตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นใหม่เพื่อกำจัดเสียงรบกวนความถี่สูง
- Samsung Motor Research and Development 5G โทรศัพท์มือถือที่มีความจุสามด้วยเท้าบาง
- ข้อดีของตัวเก็บประจุชิป Samsung
- ROGER TECHNOLOGY SAMSUNG Capacitors หุ้นมาใหม่ทุกชุด
- [เอกสารทางเทคนิคของ Samsung Electro-Mechanics] ESL MLCC ต่ำ
- ความต้านทานของส่วนประกอบแบบพาสซีฟ