SIHB22N60S-E3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SIHB22N60S-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay / Siliconix
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 59726 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SIHB22N60S-E3.pdf
บทนำ
We can supply SIHB22N60S-E3, use the request quote form to request SIHB22N60S-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHB22N60S-E3.The price and lead time for SIHB22N60S-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHB22N60S-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SIHB22N60S-E3 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 2810pF @ 25V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-263 (D²Pak) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 190 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (สูงสุด): | 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 22A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | SIHB22N60S-E3TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SIHB22N60S-E3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 110nC @ 10V |
| ประเภท IGBT: | ±30V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 600V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SIHB22N60S-E3
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor