หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SIA406DJ-T1-GE3 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (สูงสุด): | ±8V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
ชุด: | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 19.8 mOhm @ 10.8A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerPAK® SC-70-6 |
ชื่ออื่น: | SIA406DJ-T1-GE3TR SIA406DJT1GE3 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1380pF @ 6V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 23nC @ 5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 12V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 12V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |