SI8441DB-T2-E1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SI8441DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 70977 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SI8441DB-T2-E1.pdf
บทนำ
We can supply SI8441DB-T2-E1, use the request quote form to request SI8441DB-T2-E1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI8441DB-T2-E1.The price and lead time for SI8441DB-T2-E1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI8441DB-T2-E1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SI8441DB-T2-E1 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 700mV @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±5V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 1A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-MICRO FOOT™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 600pF @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 20V 10.5A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 10.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SI8441DB-T2-E1
ข่าว Latest
- ADI ร่วมมือกับ BMW Group เพื่อเปิดตัวเทคโนโลยี Ethernet รถยนต์ 10MB ชั้นนำของอุตสาหกรรมเปิดบทใหม่ในรถยนต์นิยามซอฟต์แวร์
- Vishay เปิดตัวโพเทนชิออมิเตอร์ Knob ทำให้การออกแบบแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมและเสียงง่ายขึ้นและค่าใช้จ่ายในการเพิ่มประสิทธิภาพ
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง