SI-B8T261280WW
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SI-B8T261280WW
- ผู้ผลิต:
- Samsung Semiconductor
- ลักษณะ:
- LINEAR TYPE
- ปริมาณในสต็อก:
- 38593 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SI-B8T261280WW.pdf
บทนำ
We can supply SI-B8T261280WW, use the request quote form to request SI-B8T261280WW pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI-B8T261280WW.The price and lead time for SI-B8T261280WW depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI-B8T261280WW.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SI-B8T261280WW |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| ความยาวคลื่น: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 23V |
| มุมมอง: | - |
| ชนิด: | LED Module |
| อุณหภูมิ - การทดสอบ: | 65°C |
| ขนาด / มิติ: | 279.70mm L x 39.80mm W |
| ชุด: | F-Series Gen3 |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| Lumens วัตต์ / @ ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 175 lm/W |
| พื้นผิวเปล่งแสง (LES): | - |
| เลนส์ชนิด: | Flat |
| ความสูง: | 5.20mm |
| Flux @ Current / อุณหภูมิ - การทดสอบ: | 4500 lm (4050 lm ~ 5000 lm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module F-Series Gen3 White, Neutral Linear Light Strip |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 1.12A |
| ปัจจุบัน - แม็กซ์: | 1.8A |
| องค์ประกอบ: | Linear Light Strip |
| สี: | White, Neutral |
| CRI (ดัชนีการแสดงผลสี): | 80 |
| CCT (k): | 4000K 3-Step MacAdam Ellipse |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SI-B8T261280WW
ข่าว Latest
- การออกแบบอินเวอร์เตอร์ MOSFET ตู้เย็น MOSFET ครั้งแรกของ Samsung โดยใช้ YingFailing 600V CoolmoSMM PFD7
- ความร่วมมือ Samsung และ AMD: ชิป Exynos มาพร้อมกับ AMD GPU
- Samsung มวลผลิตโซลูชันแฟลชโทรศัพท์มือถือรุ่นล่าสุดขึ้นอยู่กับ LPDDR5 และ UFS แพคเกจหลายชิป UMCP
- นักวิเคราะห์: Samsung จะได้รับ บริษัท ชิปรถยนต์ NXP เป็นหนึ่งในผู้สมัคร
- Samsung Electronics คาดว่าจะฟื้นตัวตามปกติในเดือนมิถุนายนในเดือนมิถุนายนในเดือนมิถุนายน Samsung Electronics
- Samsung พัฒนาตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นใหม่เพื่อกำจัดเสียงรบกวนความถี่สูง
- Samsung Motor Research and Development 5G โทรศัพท์มือถือที่มีความจุสามด้วยเท้าบาง
- ข้อดีของตัวเก็บประจุชิป Samsung
- ROGER TECHNOLOGY SAMSUNG Capacitors หุ้นมาใหม่ทุกชุด
- [เอกสารทางเทคนิคของ Samsung Electro-Mechanics] ESL MLCC ต่ำ
- ความต้านทานของส่วนประกอบแบบพาสซีฟ