หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-NSBC143ZPDXV6T5 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
ประเภททรานซิสเตอร์: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-563 |
ชุด: | - |
ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2): | 47 kOhms |
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): | 4.7 kOhms |
เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 500mW |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-563, SOT-666 |
ชื่ออื่น: | NSBC143ZPDXV6T5OS |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
คำอธิบายโดยละเอียด: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 80 @ 5mA, 10V |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 500nA |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 100mA |
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | NSBC1* |
Email: | [email protected] |