NAND16GW3B6DPA6F TR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NAND16GW3B6DPA6F TR
- ผู้ผลิต:
- Micron Technology
- ลักษณะ:
- IC FLASH 16G PARALLEL 114LFBGA
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 57118 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NAND16GW3B6DPA6F TR.pdf
บทนำ
We can supply NAND16GW3B6DPA6F TR, use the request quote form to request NAND16GW3B6DPA6F TR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NAND16GW3B6DPA6F TR.The price and lead time for NAND16GW3B6DPA6F TR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NAND16GW3B6DPA6F TR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-NAND16GW3B6DPA6F TR |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 25ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| เทคโนโลยี: | FLASH - NAND |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 114-LFBGA (12x16) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 114-LFBGA |
| ชื่ออื่น: | NAND16GW3B6DPA6F NAND16GW3B6DPA6F TR-ND NAND16GW3B6DPA6FTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Gb (2G x 8) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | FLASH |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | FLASH - NAND Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel 25ns 114-LFBGA (12x16) |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | NAND16G |
| เวลาในการเข้าถึง: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NAND16GW3B6DPA6F TR
ข่าว Latest
- หลักการทำงานของตัวเก็บประจุ
- Renesas เป็นคนแรกที่เปิดตัว RISC-V 32 บิตสากลกับเคอร์เนล CPU ที่พัฒนาขึ้นด้วยตนเอง
- ในเซ็นเซอร์ภาพต่ำของ Anmei หันหน้าเข้าหาระบบภาพที่ทันสมัย
- ADI ร่วมมือกับ BMW Group เพื่อเปิดตัวเทคโนโลยี Ethernet รถยนต์ 10MB ชั้นนำของอุตสาหกรรมเปิดบทใหม่ในรถยนต์นิยามซอฟต์แวร์
- Vishay เปิดตัวโพเทนชิออมิเตอร์ Knob ทำให้การออกแบบแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมและเสียงง่ายขึ้นและค่าใช้จ่ายในการเพิ่มประสิทธิภาพ
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต