หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-IRFH8330TR2PBF |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PQFN (5x6) |
ชุด: | HEXFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6.6 mOhm @ 20A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.3W (Ta), 35W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerTDFN |
ชื่ออื่น: | IRFH8330TR2PBFCT |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1450pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 30V 17A (Ta), 56A (Tc) 3.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 17A (Ta), 56A (Tc) |
Email: | [email protected] |