หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-IPA70R750P7SXKSA1 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 70µA |
Vgs (สูงสุด): | ±16V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220 Full Pack |
ชุด: | CoolMOS™ P7 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 1.4A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 21.2W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 Full Pack |
ชื่ออื่น: | IPA70R750P7S SP001664858 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 306pF @ 400V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 8.3nC @ 400V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 700V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 700V 6.5A (Tc) 21.2W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 6.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |