FQP13N10
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FQP13N10
- ผู้ผลิต:
- ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 42133 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.FQP13N10.pdf2.FQP13N10.pdf
บทนำ
We can supply FQP13N10, use the request quote form to request FQP13N10 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQP13N10.The price and lead time for FQP13N10 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQP13N10.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-FQP13N10 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±25V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220-3 |
| ชุด: | QFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 6.4A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 65W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 450pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 100V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 12.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FQP13N10
ข่าว Latest
- Onsemi เปิดตัวแพ็คเกจโทร 650 V Silicon Carbide Mosfet เป็นครั้งแรกของโลก
- ชุดพัฒนามอเตอร์ของ ON Semiconductor มุ่งเน้นไปที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเป็นอันดับแรก
- แพลตฟอร์ม lidar ซิลิคอนโฟโตมัลติเพลเยอร์ (SiPM) ของ ON Semiconductor ตรงเวลาบิน (dToF) ให้การออกแบบสำเร็จรูปสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในอุตสาหกรรม
- ON Semiconductor และ Theta Power Systems International สร้างความร่วมมือสำหรับแอพพลิเคชั่นควบคุมมอเตอร์
- ON Semiconductor แต่งตั้ง Hassane El-Khoury ดำรงตำแหน่งซีอีโอ (CEO)