หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-FDB4020P |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (สูงสุด): | ±8V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-263AB |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 8A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 37.5W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 665pF @ 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 20V 16A (Ta) 37.5W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 16A (Ta) |
Email: | [email protected] |