FDB045AN08A0-F085
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FDB045AN08A0-F085
- ผู้ผลิต:
- ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 75411 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FDB045AN08A0-F085.pdf
บทนำ
We can supply FDB045AN08A0-F085, use the request quote form to request FDB045AN08A0-F085 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDB045AN08A0-F085.The price and lead time for FDB045AN08A0-F085 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDB045AN08A0-F085.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-FDB045AN08A0-F085 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-263AB |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 80A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 310W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | FDB045AN08A0-F085TR FDB045AN08A0_F085 FDB045AN08A0_F085TR FDB045AN08A0_F085TR-ND FDB045AN08A0F085 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 6600pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 138nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 75V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 75V 19A (Ta) 310W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 19A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FDB045AN08A0-F085
ข่าว Latest
- Onsemi เปิดตัวแพ็คเกจโทร 650 V Silicon Carbide Mosfet เป็นครั้งแรกของโลก
- ชุดพัฒนามอเตอร์ของ ON Semiconductor มุ่งเน้นไปที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเป็นอันดับแรก
- แพลตฟอร์ม lidar ซิลิคอนโฟโตมัลติเพลเยอร์ (SiPM) ของ ON Semiconductor ตรงเวลาบิน (dToF) ให้การออกแบบสำเร็จรูปสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในอุตสาหกรรม
- ON Semiconductor และ Theta Power Systems International สร้างความร่วมมือสำหรับแอพพลิเคชั่นควบคุมมอเตอร์
- ON Semiconductor แต่งตั้ง Hassane El-Khoury ดำรงตำแหน่งซีอีโอ (CEO)