ESH1D R3G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ESH1D R3G
- ผู้ผลิต:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 45746 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ESH1D R3G.pdf
บทนำ
We can supply ESH1D R3G, use the request quote form to request ESH1D R3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ESH1D R3G.The price and lead time for ESH1D R3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ESH1D R3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-ESH1D R3G |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 900mV @ 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 200V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-214AC (SMA) |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 15ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-214AC, SMA |
| ชื่ออื่น: | ESH1D R3G-ND ESH1DR3G |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 17 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1µA @ 200V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 1A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ESH1D R3G
ข่าว Latest
- หลักการทำงานของตัวเก็บประจุ
- Renesas เป็นคนแรกที่เปิดตัว RISC-V 32 บิตสากลกับเคอร์เนล CPU ที่พัฒนาขึ้นด้วยตนเอง
- ในเซ็นเซอร์ภาพต่ำของ Anmei หันหน้าเข้าหาระบบภาพที่ทันสมัย
- ADI ร่วมมือกับ BMW Group เพื่อเปิดตัวเทคโนโลยี Ethernet รถยนต์ 10MB ชั้นนำของอุตสาหกรรมเปิดบทใหม่ในรถยนต์นิยามซอฟต์แวร์
- Vishay เปิดตัวโพเทนชิออมิเตอร์ Knob ทำให้การออกแบบแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมและเสียงง่ายขึ้นและค่าใช้จ่ายในการเพิ่มประสิทธิภาพ
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต