DG2517EDQ-T1-GE3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DG2517EDQ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 41963 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.DG2517EDQ-T1-GE3.pdf2.DG2517EDQ-T1-GE3.pdf
บทนำ
We can supply DG2517EDQ-T1-GE3, use the request quote form to request DG2517EDQ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DG2517EDQ-T1-GE3.The price and lead time for DG2517EDQ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DG2517EDQ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-DG2517EDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | - |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 40ns, 33ns |
| วงจรสวิตช์: | SPDT |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-MSOP |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ชื่ออื่น: | DG2517EDQ-T1-GE3-ND DG2517EDQ-T1-GE3TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 3.1 Ohm |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | 2:1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2 Circuit IC Switch 2:1 3.1 Ohm 10-MSOP |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | - |
| crosstalk: | -62dB @ 1MHz |
| Charge Injection: | -19.4pC |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 10 mOhm |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | - |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 221MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DG2517EDQ-T1-GE3
ข่าว Latest
- ADI ร่วมมือกับ BMW Group เพื่อเปิดตัวเทคโนโลยี Ethernet รถยนต์ 10MB ชั้นนำของอุตสาหกรรมเปิดบทใหม่ในรถยนต์นิยามซอฟต์แวร์
- Vishay เปิดตัวโพเทนชิออมิเตอร์ Knob ทำให้การออกแบบแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมและเสียงง่ายขึ้นและค่าใช้จ่ายในการเพิ่มประสิทธิภาพ
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง