หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-BSS84LT1G |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 250µA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-3 (TO-236) |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 225mW (Ta) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ชื่ออื่น: | BSS84LT1GOSTR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 36 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 30pF @ 5V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 50V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 130mA (Ta) |
Email: | [email protected] |