หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-BSO052N03S |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 70µA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-DSO-8 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 17A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.56W (Ta) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ชื่ออื่น: | BSO052N03S-ND BSO052N03SINTR BSO052N03SXT SP000080998 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 5530pF @ 15V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 43nC @ 5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 30V 14A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 14A (Ta) |
Email: | [email protected] |