หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-AS4C2M32S-6BIN |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 2ns |
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 3.6 V |
เทคโนโลยี: | SDRAM |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 90-TFBGA (8x13) |
ชุด: | - |
บรรจุภัณฑ์: | Tray |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 90-TFBGA |
ชื่ออื่น: | 1450-1147 AS4C2M32S-6BIN-ND |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
ขนาดหน่วยความจำ: | 64Mb (2M x 32) |
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
รูปแบบหน่วยความจำ: | DRAM |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
คำอธิบายโดยละเอียด: | SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13) |
ความถี่นาฬิกา: | 166MHz |
เวลาในการเข้าถึง: | 5.4ns |
Email: | [email protected] |